深圳市和心共创电子有限公司

MX113L
H桥驱动电路
MX113L
特性
概述
●低待机电流 (小于0.1uA)
该产品采用H桥电路结构设计，采用高可靠性
●低 导通内阻MOSFET功率开关管
功率管:工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。
采用MOS工艺设计功率管
电路内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET，工作
800亳安通道功率管内阻0.43欧姆
电压范围覆盖2V到8V。27C, VCC=5V 条件下
200亳安通道功率管内阻0.36欧姆
持续输出电流达到1A,大峰值输出电流达到1.5A。
内部集成续流二极管
该单路为功率器件，本身具备一定内阻， 电路
一无需 外接续流二极管
的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度
●超小型封装尺寸
密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时
采用SOT23-6封装
监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时
含引脚外形尺寸2.92mm*2.8mm
(典型值150'C)，产生功率管关断信号，关闭负载电
●
较小的输入电流
流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造
集成约7K对地下拉电阻
成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置
3V驱动信号平均420uA输入电流
的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才
)内置带迟滞效应的过热保护电路(TSD)
允许重新对功率管进行控制。
●抗静电等级: 3KV (HBM)
应用范围
●IR-CUT 驱动
●电动玩具

●步进电机驱动